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199,570 条型号记录
每页 20 条

KTC3198-GR A1G

Taiwan Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。
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SBC807-16LT3G

ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 SOT-23-3 封装。
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2SA1593S-TL-E

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
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NSVMMUN2233LT3G

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
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NJVMJD45H11D3T4G

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
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2N2222A/TR

Microchip / Microsemi · 封装：TO-206AA-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-206AA-3 封装。
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2SC4135S-TL-E

ON Semiconductor · 封装：TO-252-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、连续集电极电流 2 A、耗散功率（Pd） 1 W、单件重量 0.063493 oz，采用 TO-252-3 封装。
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2N3495

Central Semiconductor · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 4.5 V，采用 TO-39-3 封装。
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CBCP68 TR

Central Semiconductor · 封装：SOT-223

该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 CBCP68 PBFREE TR，采用 SOT-223 封装。
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CMPTA94 TR

Central Semiconductor · 封装：SOT-23

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-23 封装。
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NJVMJD210T4G

ON Semiconductor · 封装：DPAK-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V，采用 DPAK-3 封装。
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STT13005D-K

STMicroelectronics · 封装：SOT-32-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、集电极－发射极饱和电压 1.5 V、最大直流集电极电流 4 A，采用 SOT-32-3 封装。
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2N5954

Microchip / Microsemi · 封装：TO-66-2

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 90 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-66-2 封装。
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2N2896

Microchip / Microsemi · 封装：TO-18

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 90 V、集电极－发射极饱和电压 0.6 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 TO-18 封装。
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