BSS63AHZGT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 100 V、集电极－基极电压（VCBO） - 110 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V，采用 SOT-23-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DXTN07060BFG-7
Diodes Incorporated · 封装：PowerDI3333-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 PowerDI3333-8 封装。2SC6100,LF
Toshiba
该型号为晶体管。2SC4117-GR,LF
Toshiba
该型号为晶体管。PBHV9540XF
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 400 V、集电极－基极电压（VCBO） - 400 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 400 mV，采用 SOT-89-3 封装。BSS64AHZGT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-23-3 封装。BSS4130AHZGT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-23-3 封装。BSS5130AHZGT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V，采用 SOT-23-3 封装。HN1C03FU-B,LF
Toshiba · 封装：US-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 25 V，采用 US-6 封装。ZXTP56060FDBQ-7
Diodes Incorporated · 封装：U-DFN2020-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V，采用 U-DFN2020-6 封装。2SA1362-GR,LF
Toshiba · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 15 V、集电极－基极电压（VCBO） - 15 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SC-59-3 封装。PQMD12Z
Nexperia · 封装：DFN-1010B-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－发射极饱和电压 50 V、最大直流集电极电流 100 mA，采用 DFN-1010B-6 封装。2SA2154MFV-Y,L3F
Toshiba
该型号为晶体管。BDY25B
Semelab / TT Electronics · 封装：TO-3-2
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 140 V、集电极－基极电压（VCBO） 200 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－发射极饱和电压 600 mV，采用 TO-3-2 封装。DXTP07040CFGQ-7
Diodes Incorporated · 封装：PowerDI3333-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V，采用 PowerDI3333-8 封装。DXTN07045DFG-7
Diodes Incorporated · 封装：PowerDI3333-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 PowerDI3333-8 封装。2SC6135,LF
Toshiba
该型号为晶体管。BC338-40 A1G
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。MMBT2907AT-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-523-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 400 mV，采用 SOT-523-3 封装。BCX53-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-89-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。