2DA1774S-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 500 mV，采用 SOT-523-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2SCR341QTR
ROHM Semiconductor · 封装：TSMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TSMT-6 封装。APT13005DI-G1
Diodes Incorporated · 封装：TO-251-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 450 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、集电极－发射极饱和电压 900 mV、最大直流集电极电流 8 A，采用 TO-251-3 封装。ZXTP25140BFHQTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。2N3134
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、集电极－发射极饱和电压 0.6 V，采用 TO-39-3 封装。2SA2154MFVGR,L3F
Toshiba · 封装：Reel
该型号为晶体管，采用 Reel 封装。HN1C01FU-Y,LF
Toshiba · 封装：US-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 US-6 封装。2SA2215,LF
Toshiba
该型号为晶体管。2SA2195,LF
Toshiba
该型号为晶体管。TTC4116FU,LF
Toshiba
该型号为晶体管。2SC6026MFV-Y,L3F
Toshiba
该型号为晶体管。DXTN07025BFG-7
Diodes Incorporated · 封装：PowerDI3333-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 35 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 PowerDI3333-8 封装。2SA1182-GR,LF
Toshiba · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 35 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SC-59-3 封装。DXTN07100BFG-7
Diodes Incorporated · 封装：PowerDI3333-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 PowerDI3333-8 封装。DXTP07060BFG-7
Diodes Incorporated · 封装：PowerDI3333-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V，采用 PowerDI3333-8 封装。TTC1949-GR,LF
Toshiba
该型号为晶体管。TTC1949-Y,LF
Toshiba
该型号为晶体管。DXTP07040CFG-7
Diodes Incorporated · 封装：PowerDI3333-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V，采用 PowerDI3333-8 封装。DXTP07025BFG-7
Diodes Incorporated · 封装：PowerDI3333-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 25 V、集电极－基极电压（VCBO） - 35 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V，采用 PowerDI3333-8 封装。DXTP07100BFG-7
Diodes Incorporated · 封装：PowerDI3333-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 100 V、集电极－基极电压（VCBO） - 120 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V，采用 PowerDI3333-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。