NZT751
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 SOT-223-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录PBSS4032SPN,115
Nexperia · 封装：SO-8
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、增益带宽积（fT） 140 MHz、连续集电极电流 5.7 A，采用 SO-8 封装。MMBT100
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SOT-23-3 封装。2N3054
Central Semiconductor · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 55 V、集电极－基极电压（VCBO） 90 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 6 V，采用 TO-66-2 封装。MJ4502G
ON Semiconductor · 封装：TO-204-2
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 90 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、集电极－发射极饱和电压 0.8 V，采用 TO-204-2 封装。2N3771G
ON Semiconductor · 封装：TO-204-2
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 2 V，采用 TO-204-2 封装。TIP48G
ON Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-220-3 封装。MJD44H11G
ON Semiconductor · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 5 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-252-3 封装。2SCR554RTL
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-346T-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-346T-3 封装。PBSS8110Y,115
Nexperia · 封装：UMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 UMT-3 封装。DSS4320T-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 310 mV，采用 SOT-23-3 封装。BSP33,115
Nexperia · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 90 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-223-3 封装。2N6517BU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 350 V、集电极－基极电压（VCBO） 350 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-92-3 封装。MAT01AHZ
Analog Devices · 封装：TO-78-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.12 V，采用 TO-78-6 封装。ZXT11N20DFTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 7.5 V、集电极－发射极饱和电压 90 mV，采用 SOT-23-3 封装。2SC5226A-4-TL-E
ON Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 10 V、发射极－基极电压（VEBO） 2 V、最大直流集电极电流 70 mA、增益带宽积（fT） 7 GHz，采用 SOT-323-3 封装。DSS5320T-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、集电极－基极电压（VCBO） - 20 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 70 mV，采用 SOT-23-3 封装。ZXTP25040DZTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 SOT-89-3 封装。PBSS4230PAN,115
Nexperia · 封装：DFN-2020-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 60 mV，采用 DFN-2020-6 封装。DSS4240Y-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 320 mV，采用 SOT-363-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。