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BC 857BW H6327

Infineon Technologies · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.25 V，采用 SOT-323-3 封装。
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BC 849B E6327

Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 600 mV，采用 SOT-23-3 封装。
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BC 858A E6327

Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 650 mV，采用 SOT-23-3 封装。
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BC 848C E6433

Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 600 mV，采用 SOT-23-3 封装。
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Jan2N930

Microchip / Microsemi · 封装：TO-18-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-18-3 封装。
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MMBT3906LT1XT

Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SOT-23-3 封装。
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BC 817K-16 E6433

Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。
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2N3057A

Microchip / Microsemi · 封装：TO-46-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-46-3 封装。
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Jantx2N2906A

Microchip / Microsemi · 封装：TO-18-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-18-3 封装。
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Jantx2N2369AUB

Microchip / Microsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 4.5 V。
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SMBT 3904PN H6327

Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SOT-23-3 封装。
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2SA1873-GR(TE85L,F

Toshiba · 封装：SOT-353-5

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 0.15 A，采用 SOT-353-5 封装。
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CMST5087 TR

Central Semiconductor · 封装：SOT-323

该型号为晶体管，主要参数包括商品名称 SUPERmini、型号别名 CMST5087 PBFREE TR，采用 SOT-323 封装。
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BCW68GE6327HTSA1

Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.7 V，采用 SOT-23-3 封装。
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PBHV9115TVL

Nexperia · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 150 V、集电极－基极电压（VCBO） - 200 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 60 mV，采用 SOT-23-3 封装。
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