BC 847C E6433
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 SOT-23-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2N4233A
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N3740A
Microchip / Microsemi · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-66-2 封装。2SD1805G-TL-E
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 1.5 V。BC847BE6433HTMA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 SOT-23-3 封装。2SA2039-TL-H
ON Semiconductor · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、连续集电极电流 5 A、最小直流电流增益（hfe） 200、耗散功率（Pd） 800 mW，采用 TO-252-3 封装。KSH42CTM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 100 V、集电极－基极电压（VCBO） - 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 1.5 V，采用 TO-252-3 封装。KSH2955TM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 70 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 1.1 V，采用 TO-252-3 封装。2SB1202T-E
ON Semiconductor · 封装：TO-251-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、连续集电极电流 5 A、耗散功率（Pd） 1 W、单件重量 0.139332 oz，采用 TO-251-3 封装。2SB1124T-TD-H
ON Semiconductor · 封装：SC-62-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、连续集电极电流 3 A、耗散功率（Pd） 500 mW，采用 SC-62-3 封装。2SA1955FVATPL3Z
Toshiba · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 12 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.03 V、最大直流电流增益（hFE） 1000、连续集电极电流 - 0.4 A，采用 SOT-723-3 封装。BD237STU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-126-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 2 A，采用 TO-126-3 封装。2SD1628F-TD-H
ON Semiconductor · 封装：TO-243-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV，采用 TO-243-3 封装。BCP 56-16 H6327
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、型号别名 BCP5616H6327XT BCP5616H6327XTSA1 SP000748370。BC 848C E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。STD127DT4
STMicroelectronics · 封装：DPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 18 V、集电极－发射极饱和电压 1.3 V、最大直流集电极电流 4 A，采用 DPAK-3 封装。BC 817U E6327
Infineon Technologies · 封装：SC-74-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.7 V，采用 SC-74-6 封装。Jantxv2N3810
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。BD240CTU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 115 V、集电极－基极电压（VCBO） - 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.7 V，采用 TO-220-3 封装。KSE350STU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-126-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 300 V、集电极－基极电压（VCBO） - 300 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 TO-126-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。