SST3904T116
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.3 V。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录IMX17T108
ROHM Semiconductor · 封装：SMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.6 V，采用 SMT-6 封装。2SD2211T100Q
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 160 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 2 V。2SD1618T-TD-E
ON Semiconductor · 封装：TO-243-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-243-3 封装。2SC5415AF-TD-E
ON Semiconductor · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、发射极－基极电压（VEBO） 2 V、连续集电极电流 100 mA、最小直流电流增益（hfe） 70、耗散功率（Pd） 800 mW，采用 SOT-89-3 封装。2SD2662T100
ROHM Semiconductor · 封装：MPT-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 160 mV，采用 MPT-3 封装。QSL12TR
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 120 mV。EMX4T2R
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、最大直流集电极电流 0.05 A。STBV42-AP
STMicroelectronics · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、集电极－发射极饱和电压 0.4 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 TO-92-3 封装。2SD1766T100R
ROHM Semiconductor · 封装：Reel
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 2 A，采用 Reel 封装。2SB1188T100P
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） - 32 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 2 A。2SAR533PT100
ROHM Semiconductor · 封装：MPT-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 - 3 A、最小直流电流增益（hfe） 180，采用 MPT-3 封装。2SCR513PT100
ROHM Semiconductor · 封装：MPT-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.13 V，采用 MPT-3 封装。2SC5868TLQ
ROHM Semiconductor · 封装：TSMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 75 mV，采用 TSMT-3 封装。EMZ2T2R
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V, - 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.4 V, - 0.5 V，采用 EMT-6 封装。IMX9T110
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 12 V、集电极－发射极饱和电压 0.18 V。MMST8598T146
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 200 mA、增益带宽积（fT） 40 MHz，采用 SOT-23-3 封装。BD135-16
STMicroelectronics · 封装：SOT-32-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1.5 A，采用 SOT-32-3 封装。SSTA06T116
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、集电极－发射极饱和电压 0.25 V。2SD1758TLQ
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 2 A。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。