BC817-25 RF
Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录UMT1N-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、增益带宽积（fT） 140 MHz、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 - 150 mA、耗散功率（Pd） 150 mW，采用 SOT-363-6 封装。BC857BW-G
Comchip Technology · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-323-3 封装。BC856A-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 65 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 - 200 mA、增益带宽积（fT） 100 MHz、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23-3 封装。BC847CW-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-323-3 封装。MJD127-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。TIP41A-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 6 A、增益带宽积（fT） 3 MHz，采用 TO-220-3 封装。BC849B-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、增益带宽积（fT） 100 MHz、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。MMDT4401-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.6 A，采用 SOT-363-6 封装。BC848A-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、增益带宽积（fT） 100 MHz、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。BC857C-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 - 200 mA、增益带宽积（fT） 100 MHz、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23-3 封装。BC847B RFG
Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。BC857BV-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-563-6 封装。BC337-16 A1
Taiwan Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.016000 oz，采用 TO-92-3 封装。MJD112-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。BC337-25 A1
Taiwan Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.015873 oz，采用 TO-92-3 封装。BC856B-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 - 200 mA、增益带宽积（fT） 100 MHz、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23-3 封装。MMSTA42-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.2 A，采用 SOT-323-3 封装。MJD32C-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：DPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 100 V、集电极－基极电压（VCBO） - 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 1.2 V，采用 DPAK-3 封装。MMBT3906T-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-523-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.2 A，采用 SOT-523-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。