TIP31C-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 5 A、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 3 A，采用 TO-220-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2N5551-AP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.6 A，采用 TO-92-3 封装。MPSA93-AP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 200 V、集电极－基极电压（VCBO） 200 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 TO-92-3 封装。DMMT3904-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.2 A，采用 SOT-363-6 封装。KTC3198-Y A1G
Taiwan Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。BC847AT-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-523-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-523-3 封装。BC817-25-G
Comchip Technology · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。BC807-16 RF
Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-23-3 封装。MMDT5551-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.2 A，采用 SOT-363-6 封装。MMSTA92-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-323-3 封装。MMBT3904L RFG
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。MMDT2222A-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.6 A，采用 SOT-363-6 封装。BC548A A1
Taiwan Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.016000 oz，采用 TO-92-3 封装。MMST2907A-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.6 A，采用 SOT-323-3 封装。MMDT3906-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-363-6 封装。BC849C-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、增益带宽积（fT） 100 MHz、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。BC848B-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、增益带宽积（fT） 100 MHz、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。BC847C RF
Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。MMBT3906-HF
Comchip Technology · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-23-3 封装。BC337-16-AP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 - 0.8 A、耗散功率（Pd） 625 mW、单件重量 0.016000 oz，采用 TO-92-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。