BC807-40-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.5 A、增益带宽积（fT） 100 MHz、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录MPSA42-AP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.3 A，采用 TO-92-3 封装。MMBTA42-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.3 A，采用 SOT-23-3 封装。2N3906-G
Comchip Technology · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 TO-92-3 封装。2N4403-AP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、增益带宽积（fT） 200 MHz，采用 TO-92-3 封装。MMBT5551-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.6 A，采用 SOT-23-3 封装。BC549C A1
Taiwan Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.016000 oz，采用 TO-92-3 封装。MMBT3904-HF
Comchip Technology · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-23-3 封装。BC337-40-AP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.7 V，采用 TO-92-3 封装。2SA1213-Y-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 SOT-89-3 封装。300BS14-U
THAT · 封装：SO-14
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） 36 V、最大直流集电极电流 30 mA、最大工作温度 + 85 C、连续集电极电流 30 mA，采用 SO-14 封装。300AS14-U
THAT · 封装：SO-14
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） 36 V、最大直流集电极电流 30 mA、最大工作温度 + 85 C、连续集电极电流 30 mA，采用 SO-14 封装。340S14-U
THAT · 封装：SO-14
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SO-14 封装。320P14-U
THAT · 封装：DIP-14
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 36 V、集电极－基极电压（VCBO） - 36 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 50 mV，采用 DIP-14 封装。BC847A-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。TS13002ACT A3G
Taiwan Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V，采用 TO-92-3 封装。TIP30-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A、增益带宽积（fT） 3 MHz，采用 TO-220-3 封装。TIP122-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 8 A、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 5 A，采用 TO-220-3 封装。TIP31-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 3 A、增益带宽积（fT） 3 MHz，采用 TO-220-3 封装。PN2907A-AP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 6 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、增益带宽积（fT） 200 MHz，采用 TO-92-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。