MMBT3904-G
Comchip Technology · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-23-3 封装。分立与功率器件
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
199,570 条型号记录BC846A RF
Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。MMBT3904 RFG
Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-23-3 封装。TIP120-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 60 V、最大直流集电极电流 8 A、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 5 A，采用 TO-220-3 封装。BC847C-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。MMBT2907A-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、增益带宽积（fT） 200 MHz、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-23-3 封装。MPSA92-AP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 300 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、增益带宽积（fT） 50 MHz、最小工作温度 - 55 C，采用 TO-92-3 封装。MPSA06-AP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 TO-92-3 封装。MMBTA06-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 SOT-23-3 封装。MPSA05-AP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 TO-92-3 封装。MMSS8050-H-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 SOT-23-3 封装。BC817-25-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.7 V，采用 SOT-23-3 封装。BC548B A1
Taiwan Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.016000 oz，采用 TO-92-3 封装。MMBTA92-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.3 A，采用 SOT-23-3 封装。MMSS8550-H-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 SOT-23-3 封装。2N3906-AP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、增益带宽积（fT） 250 MHz，采用 TO-92-3 封装。2N4401-AP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、增益带宽积（fT） 250 MHz，采用 TO-92-3 封装。BC817-40-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1000 mA、增益带宽积（fT） 100 MHz，采用 SOT-23-3 封装。2SC1623-L6-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。2N3904-AP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、增益带宽积（fT） 250 MHz，采用 TO-92-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。