2SC6082-EPN-1E
ON Semiconductor · 封装：TO-220F-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-220F-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录MMSS8050-L-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 SOT-23-3 封装。340P14-U
THAT · 封装：DIP-14
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 20 A，采用 DIP-14 封装。300P14-U
THAT · 封装：DIP-14
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 36 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 50 mV，采用 DIP-14 封装。300S14-U
THAT · 封装：SO-14
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 30 mA、增益带宽积（fT） 350 MHz，采用 SO-14 封装。320S14-U
THAT · 封装：SO-14
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、增益带宽积（fT） 325 MHz、最小工作温度 0 C，采用 SO-14 封装。BC337-25-AP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、增益带宽积（fT） 210 MHz、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 TO-92-3 封装。BC847BS-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-363-6 封装。TIP42C-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 100 V、集电极－基极电压（VCBO） - 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 1.5 V，采用 TO-220-3 封装。HN1C01FE-GR,LF
Toshiba
该型号为晶体管。ZTX1053ASTZ
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 75 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 TO-92-3 封装。HN1A01FU-Y,LF
Toshiba · 封装：US-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.1 V、最大直流集电极电流 - 150 mA，采用 US-6 封装。BC807-16HR
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 700 mV，采用 SOT-23-3 封装。2SC4116-BL,LF
Toshiba · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SC-70-3 封装。HN1A01FE-Y,LF
Toshiba · 封装：ES6-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.1 V、最大直流集电极电流 - 150 mA，采用 ES6-6 封装。STX13005-APH
STMicroelectronics · 封装：$0.30
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、单件重量 0.007560 oz，采用 $0.30 封装。HN1B04FU-GR,LF
Toshiba · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V, - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-363-6 封装。BC817K-40HR
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 SOT-23-3 封装。BC546B A1
Taiwan Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.016000 oz，采用 TO-92-3 封装。BC817-40 RF
Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。