2SA1588-GR,LF
Toshiba · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 35 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.25 V、最大直流集电极电流 - 500 mA，采用 SC-70-3 封装。分立与功率器件
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
199,570 条型号记录BC817K-25HR
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 SOT-23-3 封装。TSC497CX RFG
Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。CMUT5401 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-523
该型号为晶体管，主要参数包括商品名称 UltraMini、型号别名 CMUT5401 PBFREE TR，采用 SOT-523 封装。BC857BM-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-883-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V，采用 SOT-883-3 封装。BC856BM-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-883-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 65 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-883-3 封装。MMSTA06Q-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 SOT-323-3 封装。2SA1587-BL,LF
Toshiba · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 120 V、集电极－基极电压（VCBO） - 120 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.3 V、最大直流集电极电流 - 100 mA，采用 SC-70-3 封装。2SC4738-Y,LF
Toshiba · 封装：SC-75-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SC-75-3 封装。ZTX792ASTZ
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 70 V、集电极－基极电压（VCBO） - 75 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 TO-92-3 封装。BC807K-16R
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 700 mV，采用 SOT-23-3 封装。BC807K-25R
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 700 mV，采用 SOT-23-3 封装。2SC4915-O,LF
Toshiba · 封装：SOT-416-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 SOT-416-3 封装。HN2C01FU-GR(T5L,F)
Toshiba · 封装：US-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.1 V，采用 US-6 封装。APT13003DI-G1
Diodes Incorporated · 封装：TO-251-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 450 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、集电极－发射极饱和电压 300 mV、最大直流集电极电流 3 A，采用 TO-251-3 封装。PBSS5130PAP,115
Nexperia · 封装：DFN-2020-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 85 mV，采用 DFN-2020-6 封装。PBSS5160QAZ
Nexperia · 封装：DFN-1010D-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 125 mV，采用 DFN-1010D-3 封装。ZXTPS720MCTA
Diodes Incorporated · 封装：DFN3020B-8
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 25 V，采用 DFN3020B-8 封装。2SA1182-Y,LF
Toshiba · 封装：TO-236MOD-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 35 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.25 V、最大直流集电极电流 - 500 mA，采用 TO-236MOD-3 封装。MPSA56-AP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 TO-92-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。