ZXTN25015DFHTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 5 A，采用 SOT-23-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2SD2653TL
ROHM Semiconductor · 封装：TSMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 90 mV，采用 TSMT-3 封装。PBSS4620PA,115
Nexperia · 封装：DFN-2020-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 7 A，采用 DFN-2020-3 封装。2SC5536A-TL-H
ON Semiconductor · 封装：SC-81-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 2 V，采用 SC-81-3 封装。2N3763
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、增益带宽积（fT） 150 MHz，采用 TO-39-3 封装。2SD1816S-TL-H
ON Semiconductor · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、连续集电极电流 4 A、最小直流电流增益（hfe） 70、耗散功率（Pd） 1 W，采用 TO-252-3 封装。BCV63,215
Nexperia · 封装：SOT-143B-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V, 6 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V, 6 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 SOT-143B-4 封装。NSVT30010MXV6T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、连续集电极电流 - 100 mA、最小直流电流增益（hfe） 270、耗散功率（Pd） 357 mW，采用 SOT-563-6 封装。PBSS302NDH
Nexperia · 封装：SC-74-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 330 mV，采用 SC-74-6 封装。FMMTA56TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.25 V，采用 SOT-23-3 封装。ZXTP26020DMFTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。2DA2018-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。BCX5210TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-89-3 封装。DN0150BLP4-7
Diodes Incorporated · 封装：DFN-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 DFN-3 封装。DCP69-16-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、集电极－基极电压（VCBO） - 25 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 500 mV，采用 SOT-223-4 封装。SBC847CWT3G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。2SD1815T-TL-E
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。APT13005TF-G1
Diodes Incorporated
该型号为晶体管。IMT18T110
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.5 A。DZT955-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 140 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 4 A，采用 SOT-223-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。