BCP5616QTC
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-223-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录PBHV9115TLHR
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 150 V、集电极－基极电压（VCBO） - 200 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、最大直流集电极电流 - 1 A，采用 SOT-23-3 封装。2SC4081U3HZGT106Q
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 400 mV，采用 SOT-323-3 封装。EMZ52T2R
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V, - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V, - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 100 mV，采用 SOT-563-6 封装。2SC5876U3T106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 150 mV，采用 SOT-323-3 封装。BCW68HVL
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 450 mV，采用 SOT-23-3 封装。US6X7TR
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-363T-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 85 mV，采用 SOT-363T-6 封装。PHPT61002NYCLHX
Nexperia · 封装：LFPAK56-5
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 160 mV，采用 LFPAK56-5 封装。US6T8TR
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-363T-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 12 V、集电极－基极电压（VCBO） - 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 85 mV，采用 SOT-363T-6 封装。UML23NTR
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 400 mV，采用 UMT-6 封装。2SCR586JFRGTLL
ROHM Semiconductor · 封装：TO-263AB-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 100 mV，采用 TO-263AB-3 封装。2SC4617EBHZGTLQ
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-416FL-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 7 V，采用 SOT-416FL-3 封装。PMBT2907AQAZ
Nexperia · 封装：DFN-1010D-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 1.6 V，采用 DFN-1010D-3 封装。2SC4617EBHZGTLR
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-416FL-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 7 V，采用 SOT-416FL-3 封装。VT6X11T2R
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 VMT-6 封装。PBHV9040ZF
Nexperia · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 400 V、集电极－基极电压（VCBO） - 500 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 110 mV，采用 SOT-223-3 封装。2SD1781KFRAT146R
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-346-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 100 mV，采用 SOT-346-3 封装。PMBT2222AQAZ
Nexperia · 封装：DFN-1010D-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 DFN-1010D-3 封装。PMBT2907AMYL
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 1.6 V，采用 DFN-1006-3 封装。2SAR562F3TR
ROHM Semiconductor · 封装：DFN2020-3S
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V，采用 DFN2020-3S 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。