2PB709BSL,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、连续集电极电流 - 200 mA、最小直流电流增益（hfe） 210、耗散功率（Pd） 250 mW，采用 SOT-23-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录PMST2369,135
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.2 A，采用 SOT-323-3 封装。ZXTC2061E6TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-26-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 12 V, 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 5 A，采用 SOT-26-6 封装。DMB2227A-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-26-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V, 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V, 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.6 A，采用 SOT-26-6 封装。APT27ZTR-G1
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 450 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV、最大直流集电极电流 1.6 A，采用 TO-92-3 封装。VT6Z2T2R
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 VMT-6 封装。NST848BF3T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-1123-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-1123-3 封装。NSVT489AMT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 2 A。2SC4738-BL(TE85L,F
Toshiba · 封装：SOT-416-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.1 V，采用 SOT-416-3 封装。BC849B,235
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。PMSS3904,135
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-323-3 封装。BCX71K,235
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。BC849CW,135
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-323-3 封装。BCX71H,235
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。CMUSH2-4S TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-523
该型号为晶体管，主要参数包括商品名称 UltraMini、型号别名 CMUSH2-4S PBFREE TR，采用 SOT-523 封装。2SB1707TL
ROHM Semiconductor · 封装：TSMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 12 V、集电极－基极电压（VCBO） - 15 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 150 mV，采用 TSMT-3 封装。2SD1628F-TD-E
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、连续集电极电流 5 A、最小直流电流增益（hfe） 120、耗散功率（Pd） 500 mW。2SB1205S-E
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、连续集电极电流 5 A、耗散功率（Pd） 1 W。2SB1697T100
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 12 V、集电极－基极电压（VCBO） - 15 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V，采用 SOT-89-3 封装。PBSS301NZ,135
Nexperia · 封装：SC-73-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 12 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 5.8 A，采用 SC-73-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。