CMPT6429 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 CMPT6429 PBFREE TR，采用 SOT-23 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2DC4617R-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-523-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SOT-523-3 封装。BC856AW-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 650 mV，采用 SOT-323-3 封装。BCV64B,215
Nexperia · 封装：SOT-143B-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 6 V, 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 6 V, 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-143B-4 封装。NSV20201LT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 4 mV，采用 SOT-23-3 封装。MCH6103-TL-E
ON Semiconductor · 封装：MCPH-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、连续集电极电流 1 A、最小直流电流增益（hfe） 200、耗散功率（Pd） 1 W，采用 MCPH-6 封装。PBSS302PDH
Nexperia · 封装：SC-74-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 46 mV，采用 SC-74-6 封装。2SC4116-Y,LF
Toshiba · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.1 V、最大直流集电极电流 150 mA，采用 SC-70-3 封装。DSS2515M-7B
Diodes Incorporated · 封装：DFN1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 DFN1006-3 封装。BC68-25PASX
Nexperia · 封装：DFN-2020D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 DFN-2020D-3 封装。ZTX790ASTZ
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.75 V，采用 TO-92-3 封装。BC52-16PA,115
Nexperia · 封装：DFN-2020-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 DFN-2020-3 封装。DSS5160U-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 340 mV，采用 SOT-323-3 封装。2SD1803S-E
ON Semiconductor · 封装：TO-251-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 220 mV, - 280 mV，采用 TO-251-3 封装。NSVMMBT6520LT1G
ON Semiconductor · 封装：TO-236-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 350 V、集电极－基极电压（VCBO） - 350 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 TO-236-3 封装。SSVBC846BPDW1T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V, 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.3 V, 0.25 V，采用 SOT-363-6 封装。ZDT6718TA
Diodes Incorporated · 封装：SM-8
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV, 220 mV，采用 SM-8 封装。ZX5T949GTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、最大直流集电极电流 5.5 A，采用 SOT-223-4 封装。2SD1816S-TL-E
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 4 A、增益带宽积（fT） 130 MHz。ZXTN2005ZTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 SOT-89-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。