2SB1204T-TL-E
ON Semiconductor · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、连续集电极电流 8 A、最小直流电流增益（hfe） 70、耗散功率（Pd） 1 W，采用 TO-252-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2SB1590KT146Q
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） - 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SC-59-3 封装。NST489AMT1G
ON Semiconductor · 封装：TSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.1 V，采用 TSOP-6 封装。2SC4135T-TL-E
ON Semiconductor · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、连续集电极电流 2 A、耗散功率（Pd） 1 W、单件重量 0.063493 oz，采用 TO-252-3 封装。NST857BDP6T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-963-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-963-6 封装。BCP52TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-223-4 封装。PBSS5240V,115
Nexperia · 封装：SSmini-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1.8 A，采用 SSmini-6 封装。2SB1201T-TL-E
ON Semiconductor · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、连续集电极电流 2 A、耗散功率（Pd） 800 mW、单件重量 0.063493 oz，采用 TO-252-3 封装。PBSS5220T,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 - 3 A，采用 SOT-23-3 封装。PBSS4240XX
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 80 mV，采用 SOT-89-3 封装。CPH5518-TL-E
ON Semiconductor · 封装：CPH-5
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、连续集电极电流 1 A、最小直流电流增益（hfe） 200、耗散功率（Pd） 900 mW，采用 CPH-5 封装。PBSS5330PASX
Nexperia · 封装：DFN-2020D-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-2020D-3 封装。PBSS5160PAPSX
Nexperia · 封装：DFN-2020-6
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-2020-6 封装。2DA1213Y-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 500 mV，采用 SOT-89-3 封装。DXT3906-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 400 mV，采用 SOT-89-3 封装。EMZ8T2R
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V, 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 15 V, 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 0.15 A。BC69PASX
Nexperia · 封装：DFN-2020D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、集电极－基极电压（VCBO） - 32 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 DFN-2020D-3 封装。NSS40300MZ4T3G
ON Semiconductor · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 SOT-223-4 封装。BC857AQAZ
Nexperia · 封装：DFN-1010D-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1010D-3 封装。BCX19,235
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 SOT-23-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。