BD436STU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-126-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） - 32 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 4 A，采用 TO-126-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录ZXTP25020DGTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 6 A，采用 SOT-223-4 封装。PBSS9410PA,115
Nexperia · 封装：DFN-2020-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 100 V、集电极－基极电压（VCBO） - 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、最大直流集电极电流 - 4 A，采用 DFN-2020-3 封装。DZT651-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 600 mV，采用 SOT-223-4 封装。DPLS4140E-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 140 V、集电极－基极电压（VCBO） - 180 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 360 mV，采用 SOT-223-4 封装。NSS40500UW3T2G
ON Semiconductor · 封装：WDFN-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.31 V，采用 WDFN-3 封装。MCH6541-TL-E
ON Semiconductor · 封装：MCPH-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V, 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V, - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 85 mV, - 110 mV，采用 MCPH-6 封装。PBSS302ND,115
Nexperia · 封装：SC-74-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 15 A，采用 SC-74-6 封装。PXT4403,115
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.6 A，采用 SOT-89-3 封装。PMMT491A,235
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-23-3 封装。SMSD1002T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。DRDN005W-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 SOT-363-6 封装。2SC4726TLP
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 11 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V。PBSS4021SP,115
Nexperia · 封装：SO-8
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、增益带宽积（fT） 105 MHz、连续集电极电流 - 6.3 A，采用 SO-8 封装。2SB1204S-TL-E
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 8 A、增益带宽积（fT） 130 MHz。PMP5501V,115
Nexperia · 封装：SSmini-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SSmini-6 封装。NJVMJD45H11RLG
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、认证等级 AEC-Q101、型号别名 NJVMJD45H11RLG-VF01。2SB1204T-E
ON Semiconductor · 封装：TO-251-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、连续集电极电流 8 A、最小直流电流增益（hfe） 70、耗散功率（Pd） 1 W，采用 TO-251-3 封装。DXT690BP5Q-13
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、商品名称 PowerDI。FZT1047ATA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 35 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 350 mV，采用 SOT-223-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。