MMDT2907AQ-7-F
Diodes Incorporated · 封装：$0.036
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 $0.036 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2SC4713KT146S
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 6 V、集电极－基极电压（VCBO） 12 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、最大直流集电极电流 0.05 A，采用 SC-59-3 封装。PZT2907A,135
Nexperia · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.6 A，采用 SOT-223-3 封装。ZXTP5401FLTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 160 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.6 A，采用 SOT-23-3 封装。2SB1122T-TD-E
ON Semiconductor · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 180 mV，采用 SOT-89-3 封装。SBC857CDW1T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-363-6 封装。PBSS5230QAZ
Nexperia · 封装：DFN-1010D-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1010D-3 封装。PZTA44-G
Comchip Technology · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-223-3 封装。CMXT3904 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-26
该型号为晶体管，主要参数包括商品名称 SUPERmini、型号别名 CMXT3904 PBFREE TR，采用 SOT-26 封装。CMPT5088 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 35 V、发射极－基极电压（VEBO） 4.5 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV，采用 SOT-23 封装。VT6X1T2R
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.12 V，采用 VMT-6 封装。50A02SS-TL-E
ON Semiconductor · 封装：SSFP-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、连续集电极电流 - 400 mA、最小直流电流增益（hfe） 200、耗散功率（Pd） 200 mW，采用 SSFP-3 封装。BCX53,146
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.001425 oz，采用 SOT-89-3 封装。PBSS4320X,135
Nexperia · 封装：UPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 UPAK-3 封装。PEMX1,315
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-666-6 封装。BC807-25QAZ
Nexperia · 封装：DFN-1010D-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1010D-3 封装。BCW72,235
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。BCV62,235
Nexperia · 封装：SOT-143B-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-143B-4 封装。DNLS160V-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 SOT-563-6 封装。2SA2154CT-GR,L3F
Toshiba · 封装：CST-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 180 mV，采用 CST-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。