NJVMJD41CT4G
ON Semiconductor · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-252-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录FZT755TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV，采用 SOT-223-4 封装。2SD1803T-TL-H
ON Semiconductor · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、连续集电极电流 5 A、最小直流电流增益（hfe） 70、耗散功率（Pd） 1 W，采用 TO-252-3 封装。2SA1593T-E
ON Semiconductor · 封装：TO-251-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、连续集电极电流 2 A、耗散功率（Pd） 1 W、单件重量 0.139332 oz，采用 TO-251-3 封装。NJVNJD1718T4G
ON Semiconductor · 封装：DPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 DPAK-3 封装。MJD42CRLG
ON Semiconductor · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.5 V，采用 TO-252-3 封装。SFT1202-E
ON Semiconductor · 封装：TO-251-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、连续集电极电流 2 A、最小直流电流增益（hfe） 200、耗散功率（Pd） 1 W，采用 TO-251-3 封装。ZXTN19020CFFTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23F-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 65 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 30 mV，采用 SOT-23F-3 封装。2SC4135S-E
ON Semiconductor · 封装：TO-251-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、连续集电极电流 2 A、耗散功率（Pd） 1 W、单件重量 0.139332 oz，采用 TO-251-3 封装。2SD1805G-E
ON Semiconductor · 封装：TO-251-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、连续集电极电流 5 A、最小直流电流增益（hfe） 120、耗散功率（Pd） 1 W，采用 TO-251-3 封装。PHPT60410NYX
Nexperia · 封装：LFPAK56-5
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.003146 oz，采用 LFPAK56-5 封装。2SD1628G-TD-E
ON Semiconductor · 封装：PCP-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV，采用 PCP-3 封装。2SA1593T-TL-E
ON Semiconductor · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、连续集电极电流 2 A、耗散功率（Pd） 1 W、单件重量 0.063493 oz，采用 TO-252-3 封装。BD135TG
ON Semiconductor · 封装：TO-225-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-225-3 封装。KSC5338DTU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 450 V、集电极－基极电压（VCBO） 1 kV、发射极－基极电压（VEBO） 12 V、集电极－发射极饱和电压 0.35 V，采用 TO-220-3 封装。FCX589TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.65 V，采用 SOT-89-3 封装。NSVMMBT6429LT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 55 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-23-3 封装。PBSS4230PANP,115
Nexperia · 封装：DFN-2020-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 60 mV, - 75 mV，采用 DFN-2020-6 封装。2DB1132R-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 32 V、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 125 mV，采用 SOT-89-3 封装。2DD1664Q-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-89-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。