CMPT6428 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.6 V，采用 SOT-23 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2SA2125-TD-H
ON Semiconductor · 封装：TO-243-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V，采用 TO-243-3 封装。PBSS305ND,115
Nexperia · 封装：TSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 TSOP-6 封装。2SAR522MT2L
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、集电极－基极电压（VCBO） - 20 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-723-3 封装。BC868-25,115
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-89-3 封装。BC846BM,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1006-3 封装。PBSS5320D,115
Nexperia · 封装：TSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 TSOP-6 封装。PHPT61010PYX
Nexperia · 封装：LFPAK56-5
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q101、型号别名 PHPT61010PYX，采用 LFPAK56-5 封装。NSV40301MZ4T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、认证等级 AEC-Q101。DSS3540M-7B
Diodes Incorporated · 封装：DFN1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 350 mV，采用 DFN1006-3 封装。2SB1201S-E
ON Semiconductor · 封装：TO-251-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 150 mV, - 300 mV，采用 TO-251-3 封装。DCP68-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 SOT-223-4 封装。2SD1801S-E
ON Semiconductor · 封装：TO-251-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、连续集电极电流 2 A、耗散功率（Pd） 800 mW、单件重量 0.139332 oz，采用 TO-251-3 封装。NSS40600CF8T1G
ON Semiconductor · 封装：1206A
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 0.18 V，采用 1206A 封装。FJP13007H1TU-F080
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、集电极－发射极饱和电压 3 V，采用 TO-220-3 封装。2SD1815S-TL-E
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 150 mV。ZXTN19020DGTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 9 A，采用 SOT-223-4 封装。ZTX553STZ
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 100 V、集电极－基极电压（VCBO） - 120 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.3 V，采用 TO-92-3 封装。PHPT60406PYX
Nexperia · 封装：LFPAK56-5
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 8 V，采用 LFPAK56-5 封装。MJD253-1G
ON Semiconductor · 封装：IPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 0.6 V，采用 IPAK-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。