2N1482
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 55 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 1.4 V、最大直流集电极电流 1.5 A，采用 TO-39-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BCP5410TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-223-4 封装。BC55-16PASX
Nexperia · 封装：DFN-2020D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 DFN-2020D-3 封装。2SCR522UBTL
ROHM Semiconductor · 封装：UMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.3 V、增益带宽积（fT） 400 MHz，采用 UMT-3 封装。CXTA92 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-89
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 CXTA92 PBFREE TR，采用 SOT-89 封装。BC858BWT1G
ON Semiconductor · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.65 V，采用 SC-70-3 封装。CZT31C TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-223
该型号为晶体管，主要参数包括商品名称 Power223、型号别名 CZT31C PBFREE TR，采用 SOT-223 封装。CMUT2222A TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-523
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 2 V，采用 SOT-523 封装。CMLT5087E TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-563
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 400 mV，采用 SOT-563 封装。BCP53-16-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-223-4 封装。CMPTA96 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 CMPTA96 PBFREE TR、单件重量 0.000300 oz，采用 SOT-23 封装。PBSS302PD,115
Nexperia · 封装：SC-74-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 - 15 A，采用 SC-74-6 封装。50C02MH-TL-E
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、单件重量 0.000255 oz。30C02CH-TL-E
ON Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.85 V，采用 SC-59-3 封装。FCX591TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.6 V，采用 SOT-89-3 封装。SBC847CDXV6T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、认证等级 AEC-Q101。PBSS4360ZX
NXP Semiconductors · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.003623 oz，采用 SOT-223-3 封装。FJP3305H2TU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、最大直流集电极电流 4 A，采用 TO-220-3 封装。PHPT610035PKX
Nexperia · 封装：LFPAK56D-8
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 100 V、集电极－基极电压（VCBO） - 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 8 V、最大直流集电极电流 - 3 A，采用 LFPAK56D-8 封装。2N6288G
ON Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 3.5 V，采用 TO-220-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。