PBSS4350SPN,115
Nexperia · 封装：SO-8
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 2.7 A，采用 SO-8 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DXTP19020DP5-13
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、集电极－基极电压（VCBO） - 25 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 1.15 V。2SD2703TL
ROHM Semiconductor · 封装：TUMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 120 mV，采用 TUMT-3 封装。PBHV9040Z,115
Nexperia · 封装：SC-73-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 500 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、最大直流集电极电流 - 500 mA，采用 SC-73-4 封装。NSS40300MZ4T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 SOT-223-4 封装。PBSS4021PT,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 - 8 A、增益带宽积（fT） 155 MHz，采用 SOT-23-3 封装。DSS4160DS-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-26-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 60 mV，采用 SOT-26-6 封装。BCM847BV,315
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-666-6 封装。NSVT45010MW6T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 300 mV，采用 SOT-363-6 封装。BUL58D
STMicroelectronics · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 450 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、最大直流集电极电流 8 A、最大工作温度 + 150 C、最小直流电流增益（hfe） 5，采用 TO-220-3 封装。SFT1202-TL-E
ON Semiconductor · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、连续集电极电流 2 A、最小直流电流增益（hfe） 200、耗散功率（Pd） 1 W，采用 TO-252-3 封装。ZXTD720MCTA
Diodes Incorporated · 封装：DFN3020B-8
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 25 mV，采用 DFN3020B-8 封装。2SA1552T-TL-H
ON Semiconductor · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、连续集电极电流 1.5 A、耗散功率（Pd） 1 W、单件重量 0.063493 oz，采用 TO-252-3 封装。NSS40300DDR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-Narrow-8
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 0.135 V，采用 SOIC-Narrow-8 封装。NJVMJD350T4G
ON Semiconductor · 封装：DPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 DPAK-3 封装。2SC3649S-TD-H
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、连续集电极电流 1.5 A、耗散功率（Pd） 500 mW、单件重量 0.001973 oz。CXT5401 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-89
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 CXT5401 PBFREE TR、单件重量 0.005573 oz，采用 SOT-89 封装。FCX555TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 150 V、集电极－基极电压（VCBO） - 180 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 400 mV，采用 SOT-89-3 封装。PBSS4260PANP,115
Nexperia · 封装：DFN-2020-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 70 mV, - 100 mV，采用 DFN-2020-6 封装。PBSS4160PANSX
Nexperia · 封装：DFN-2020D-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 90 mV，采用 DFN-2020D-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。