ZXTN617MATA
Diodes Incorporated · 封装：DFN2020B-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 DFN2020B-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2SD1623T-TD-E
ON Semiconductor · 封装：PCP-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.15 V，采用 PCP-3 封装。BC55PASX
Nexperia · 封装：DFN-2020D-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV，采用 DFN-2020D-3 封装。2SC5084-O(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SOT-346-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、最大直流集电极电流 80 mA，采用 SOT-346-3 封装。CPH3245-TL-E
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。NSS30071MR6T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-74-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SC-74-6 封装。FJPF5027RTU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-220F-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 800 V、集电极－基极电压（VCBO） 1.1 kV、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 2 V，采用 TO-220F-3 封装。2SD2657KT146
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 160 mV，采用 SC-59-3 封装。ST13007DFP
STMicroelectronics · 封装：TO-220FP-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、最大直流集电极电流 8 A，采用 TO-220FP-3 封装。KSD1588YTU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-220F-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV，采用 TO-220F-3 封装。BCX56-16,147
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 SOT-89-3 封装。BC848BWT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.6 V，采用 SOT-323-3 封装。2SB1733TL
ROHM Semiconductor · 封装：TUMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 150 mV，采用 TUMT-3 封装。PBSS5330PA,115
Nexperia · 封装：DFN-2020-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、最大直流集电极电流 - 5 A，采用 DFN-2020-3 封装。ZXTP2013GTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 100 V、集电极－基极电压（VCBO） - 140 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 240 mV，采用 SOT-223-4 封装。FZT591ATA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 500 mV，采用 SOT-223-4 封装。2SB1427T100E
ROHM Semiconductor · 封装：MPT-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、集电极－基极电压（VCBO） - 20 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 MPT-3 封装。PBSS302PX,115
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 5.1 A，采用 SOT-89-3 封装。BC55-10PA,115
Nexperia · 封装：DFN-2020-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 2 A，采用 DFN-2020-3 封装。2SC3838KT146N
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 11 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、最大直流集电极电流 0.05 A，采用 SC-59-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。