ZTX949
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、最大直流集电极电流 4.5 A，采用 TO-92-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录PBSS4041SP,115
Nexperia · 封装：SO-8
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、增益带宽积（fT） 110 MHz、连续集电极电流 - 5.9 A，采用 SO-8 封装。FJPF3305H1TU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-220F-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、最大直流集电极电流 4 A，采用 TO-220F-3 封装。2SC3649T-TD-E
ON Semiconductor · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 200 mV, 130 mV，采用 SOT-89-3 封装。BSP43,115
Nexperia · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 90 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-223-3 封装。ZXTN25020CFHTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 175 mV，采用 SOT-23-3 封装。HN4A51JTE85LF
Toshiba · 封装：SOT-25-5
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 120 V、集电极－基极电压（VCBO） - 120 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.3 V，采用 SOT-25-5 封装。2SD1048-7-TB-E
ON Semiconductor · 封装：CP-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 30 mV，采用 CP-3 封装。2DB1182Q-13
Diodes Incorporated · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 32 V、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.8 V，采用 TO-252-3 封装。15C02CH-TL-E
ON Semiconductor · 封装：CPH-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 CPH-3 封装。2SB1695KT146
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 200 mV，采用 SC-59-3 封装。2SD2702TL
ROHM Semiconductor · 封装：TUMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 85 mV，采用 TUMT-3 封装。BCX56-10,135
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-89-3 封装。BD13610STU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-126-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 45 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 TO-126-3 封装。2SC5661T2LP
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、最大直流集电极电流 0.05 A，采用 VMT-3 封装。2DB1697-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 12 V、集电极－基极电压（VCBO） - 15 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 65 mV，采用 SOT-89-3 封装。PBSS5620PA,115
Nexperia · 封装：DFN-2020-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、集电极－基极电压（VCBO） - 20 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、最大直流集电极电流 - 7 A，采用 DFN-2020-3 封装。PBSS4112PANP,115
Nexperia · 封装：DFN-2020-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 90 mV, - 150 mV，采用 DFN-2020-6 封装。2SAR542PT100
ROHM Semiconductor · 封装：MPT-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.2 V，采用 MPT-3 封装。NSVBCP56-10T3G
ON Semiconductor · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-223-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。