FJPF3305H2TU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-220F-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-220F-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录PHPT60610PYX
Nexperia · 封装：PowerSO-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 8 V，采用 PowerSO-8 封装。BC51PA,115
Nexperia · 封装：DFN-2020-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 45 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 DFN-2020-3 封装。NSV60201LT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V、连续集电极电流 2 A、耗散功率（Pd） 460 mW、认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-23-3 封装。ZXT10P12DE6TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 12 V、集电极－基极电压（VCBO） - 12 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 195 mV，采用 SOT-23-6 封装。NSV20200LT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 SOT-23-3 封装。PBSS4041SN,115
Nexperia · 封装：SO-8
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、增益带宽积（fT） 130 MHz、连续集电极电流 6.7 A，采用 SO-8 封装。PMBT3946YPN,125
Nexperia · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、连续集电极电流 200 mA、最小直流电流增益（hfe） 30、耗散功率（Pd） 230 mW，采用 SOT-363-6 封装。PBHV8115X,115
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 33 mV，采用 SOT-89-3 封装。KSD471AYTA
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-92-3 Kinked Lead
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV，采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。BCP56TX
Nexperia · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-223-3 封装。MMBT3906FA-7B
Diodes Incorporated · 封装：X2-DFN0806-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.25 V，采用 X2-DFN0806-3 封装。BC847BV-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 300 mV，采用 SOT-563-6 封装。2SD1484KT146R
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 SOT-23-3 封装。SBC857CLT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、认证等级 AEC-Q101。DSS4160TQ-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。NSVBT2222ADW1T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-363-6 封装。2SA1418S-TD-E
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.2 V, 0.12 V。2SD2226KT146W
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 12 V、集电极－发射极饱和电压 300 mV，采用 SC-59-3 封装。PHPT61002PYCX
Nexperia · 封装：LFPAK56-5
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 100 V、集电极－基极电压（VCBO） - 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 8 V、集电极－发射极饱和电压 - 110 mV、最大直流集电极电流 - 2 A，采用 LFPAK56-5 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。