MMDT4401-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.75 V，采用 SOT-363-6 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录EMX1DXV6T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SOT-563-6 封装。DN350T05-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 350 V、集电极－基极电压（VCBO） 350 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 SOT-23-3 封装。NSM6056MT1G
ON Semiconductor · 封装：SC-74-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 400 mV，采用 SC-74-6 封装。BC54-16PASX
Nexperia · 封装：DFN-2020D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 DFN-2020D-3 封装。BF840,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、最大直流集电极电流 25 mA，采用 SOT-23-3 封装。DXT3150-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV，采用 SOT-89-3 封装。2SB1123S-TD-E
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.3 V。BF820W,135
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.05 A，采用 SOT-323-3 封装。PBSS4330PA,115
Nexperia · 封装：DFN-2020-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 5 A，采用 DFN-2020-3 封装。NSS20500UW3T2G
ON Semiconductor · 封装：WDFN-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、集电极－基极电压（VCBO） - 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.27 V，采用 WDFN-3 封装。ZXTP07040DFFTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23F-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 SOT-23F-3 封装。2SD1048-6-TB-E
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 10 mV，采用 SOT-23-3 封装。BC807-25W-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 700 mV，采用 SOT-323-3 封装。BCW68GR
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 450 mV，采用 SOT-23-3 封装。2PC4081R,135
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 0.15 A，采用 SOT-323-3 封装。BC817-16W,115
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 SOT-323-3 封装。BC817-16W,135
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 SOT-323-3 封装。BC847CWT3G
ON Semiconductor · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SC-70-3 封装。BC856BW,135
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-323-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。