TIP48TU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 TO-220-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2SC6017-TL-E
ON Semiconductor · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 180 mV，采用 TO-252-3 封装。TIP29BG
ON Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.7 V，采用 TO-220-3 封装。2SC6095-TD-E
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 6.5 V、集电极－发射极饱和电压 0.1 V。2SB1202S-E
ON Semiconductor · 封装：TO-251-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、连续集电极电流 5 A、耗散功率（Pd） 1 W、单件重量 0.139332 oz，采用 TO-251-3 封装。2SC5354-1(F)
Toshiba · 封装：TO-3P-N-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 800 V、集电极－基极电压（VCBO） 900 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-3P-N-3 封装。NJVMJD44H11G
ON Semiconductor · 封装：DPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V、增益带宽积（fT） 85 MHz，采用 DPAK-3 封装。2SC5245A-4-TL-E
ON Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 1.5 V、最大直流集电极电流 30 mA，采用 SOT-323-3 封装。NSVPZTA92T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.003877 oz。BD439G
ON Semiconductor · 封装：TO-225-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.8 V，采用 TO-225-3 封装。NSS20501UW3T2G
ON Semiconductor · 封装：WDFN-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 110 mV，采用 WDFN-3 封装。SBCP56T3G
ON Semiconductor · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV，采用 SOT-223-4 封装。NSV60601MZ4T3G
ON Semiconductor · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-223-4 封装。2SC3647S-TD-E
ON Semiconductor · 封装：PCP-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.13 V，采用 PCP-3 封装。BCX5510TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-89-3 封装。2SD2351T106W
ROHM Semiconductor · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 12 V、集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SC-70-3 封装。PZTA92,115
Nexperia · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-223-3 封装。ZUMT617TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 205 mV，采用 SOT-323-3 封装。2SC5663T2L
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 90 mV，采用 VMT-3 封装。NSL12AWT1G
ON Semiconductor · 封装：SC-70-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 12 V、集电极－基极电压（VCBO） - 12 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 170 mV，采用 SC-70-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。