ZTX753STZ
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 100 V、集电极－基极电压（VCBO） - 120 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 300 mV，采用 TO-92-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录ZXTP2014GTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 140 V、集电极－基极电压（VCBO） - 180 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 275 mV，采用 SOT-223-4 封装。FJD5553TM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：DPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 1.05 kV、发射极－基极电压（VEBO） 14 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 DPAK-3 封装。PHPT60410PYX
Nexperia · 封装：LFPAK56-5
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 LFPAK56-5 封装。NJD1718T4G
ON Semiconductor · 封装：DPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 - 3 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DPAK-3 封装。PBSS304PX,115
Nexperia · 封装：UPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 4.2 A，采用 UPAK-3 封装。ZXTP25100CZTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 115 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-89-3 封装。PBSS4032NX,115
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、增益带宽积（fT） 145 MHz、连续集电极电流 4.7 A，采用 SOT-89-3 封装。ZXTN25020DZTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 6 A，采用 SOT-89-3 封装。2SC5095-O(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 1.5 V、最大直流集电极电流 15 mA，采用 SOT-323-3 封装。CPH3105-TL-E
ON Semiconductor · 封装：CPH-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 100 mV, - 185 mV，采用 CPH-3 封装。ZXTN618MATA
Diodes Incorporated · 封装：DFN2020B-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 7.5 V、增益带宽积（fT） 140 MHz、最小工作温度 - 55 C，采用 DFN2020B-3 封装。CPH3140-TL-E
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 100 V、集电极－基极电压（VCBO） - 120 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 200 mV，采用 SOT-23-3 封装。2SAR544P5T100
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V，采用 SOT-89-3 封装。2SC3647T-TD-E
ON Semiconductor · 封装：PCP-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.13 V，采用 PCP-3 封装。2SD1781KT146R
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.1 V，采用 SC-59-3 封装。FCX491TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 SOT-89-3 封装。BCM857BV-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 200 mV，采用 SOT-563-6 封装。NST3946DXV6T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V, 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.4 V, 0.3 V，采用 SOT-563-6 封装。MJD31C1G
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：IPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.2 V，采用 IPAK-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。