PZT4403,115
Nexperia · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.6 A，采用 SOT-223-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录PBSS4230T,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 SOT-23-3 封装。NSVBC856BM3T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 65 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-723-3 封装。FSB560
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SuperSOT-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 350 mV，采用 SuperSOT-3 封装。MMBT5401Q-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 150 V、集电极－基极电压（VCBO） - 160 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 200 mV，采用 SOT-23-3 封装。MPQ3725
Central Semiconductor · 封装：TO-116
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.45 V，采用 TO-116 封装。CMPT4403 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 750 mV，采用 SOT-23 封装。FJP5027RTU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 800 V、集电极－基极电压（VCBO） 1.1 kV、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 TO-220-3 封装。KSB1017YTU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-220F-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 1 V，采用 TO-220F-3 封装。ZTX653STZ
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.23 V，采用 TO-92-3 封装。ECH8501-TL-H
ON Semiconductor · 封装：ECH-8
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V, - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 75 mV, - 100 mV，采用 ECH-8 封装。PBSS306PX,115
Nexperia · 封装：UPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 3.7 A，采用 UPAK-3 封装。ZTX549
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 35 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 TO-92-3 封装。2SC5866TLQ
ROHM Semiconductor · 封装：TSMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 TSMT-3 封装。MCH6001-TL-E
ON Semiconductor · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 8 V、集电极－基极电压（VCBO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 2 V、最大直流集电极电流 150 mA，采用 SOT-363-6 封装。PBSS4560PA,115
Nexperia · 封装：DFN-2020-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 7 A，采用 DFN-2020-3 封装。HN4C51J(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SOT-25-5
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SOT-25-5 封装。TMBT3906,LM
Toshiba · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-23-3 封装。2N5209
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 4.5 V、集电极－发射极饱和电压 0.7 V，采用 TO-92-3 封装。CMPT404A TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 35 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 25 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 SOT-23 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。