BC847A-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 600 mV，采用 SOT-23-3 封装。分立与功率器件
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
199,570 条型号记录TIP29AG
ON Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.7 V，采用 TO-220-3 封装。BC846W,135
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-323-3 封装。DXT696BK-13
Diodes Incorporated · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 180 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 TO-252-3 封装。2N3467
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-39-3 封装。2SC4027T-TL-E
ON Semiconductor · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.13 V，采用 TO-252-3 封装。CMPTA06 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、集电极－发射极饱和电压 0.25 V，采用 SOT-23 封装。CMUT5087E TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-523
该型号为晶体管，主要参数包括商品名称 UltraMini、型号别名 CMUT5087E PBFREE TR，采用 SOT-523 封装。KSD1691YSTU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-126-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 0.1 V，采用 TO-126-3 封装。DXT651-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 SOT-89-3 封装。PXTA92,115
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-89-3 封装。2SC5964-TD-E
ON Semiconductor · 封装：PCP-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V, 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V, 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V, 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 125 mV, 100 mV，采用 PCP-3 封装。PMP5201V,115
Nexperia · 封装：SSmini-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SSmini-6 封装。2SC5084YTE85LF
Toshiba · 封装：SOT-346-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、最大直流集电极电流 80 mA，采用 SOT-346-3 封装。BF723,115
Nexperia · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 250 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-223-3 封装。BC869-25,115
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-89-3 封装。NSV1C200LT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 100 V、集电极－基极电压（VCBO） - 140 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V，采用 SOT-23-3 封装。DZT853-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 200 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 340 mV，采用 SOT-223-4 封装。BC52PA,115
Nexperia · 封装：DFN-2020-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 DFN-2020-3 封装。ZTX1051A
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 4 A，采用 TO-92-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。