NSVBC857CWT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-323-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录PBSS4350D,115
Nexperia · 封装：SC-74-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 5 A，采用 SC-74-6 封装。MJD31CT4-A
STMicroelectronics · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 TO-252-3 封装。BUJ303A,127
WeEn Semiconductors · 封装：TO-220AB-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 500 V、集电极－发射极饱和电压 0.35 V、最大直流集电极电流 5 A，采用 TO-220AB-3 封装。SBC807-16LT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 SOT-23-3 封装。APT17NTR-G1
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 700 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、最大直流集电极电流 100 mA、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-23-3 封装。BC846S,125
Nexperia · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、增益带宽积（fT） 100 MHz、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-363-6 封装。SPZT3904T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-223-4 封装。MMBTA56Q-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4 V、集电极－发射极饱和电压 - 250 mV，采用 SOT-23-3 封装。2SA2029M3T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 SOT-723-3 封装。2N5657G
ON Semiconductor · 封装：TO-225-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 350 V、集电极－基极电压（VCBO） 375 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-225-3 封装。ZTX560
Diodes Incorporated · 封装：E-Line-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 500 V、集电极－基极电压（VCBO） - 500 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 E-Line-3 封装。BCW66GVL
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 450 mV，采用 SOT-23-3 封装。PBSS304NX,115
Nexperia · 封装：UPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 4.7 A，采用 UPAK-3 封装。BC860B,235
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。2N4239
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.6 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 TO-39-3 封装。CMPTA44 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 450 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 750 mV，采用 SOT-23 封装。2N4014
Central Semiconductor · 封装：TO-18
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.52 V，采用 TO-18 封装。CXT2222A TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-89
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-89 封装。BCP51,115
Nexperia · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-223-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。