BSR33QTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 90 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 SOT-89-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录PBSS5540ZF
Nexperia · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-223-3 封装。2SAR340PT100Q
ROHM Semiconductor · 封装：SC-62-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 400 V、集电极－基极电压（VCBO） - 400 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V，采用 SC-62-3 封装。DSS5160FDB-7
Diodes Incorporated · 封装：U-DFN2020-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 180 mV，采用 U-DFN2020-6 封装。BCP68F
Nexperia · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-223-3 封装。TTA004B,Q
Toshiba · 封装：TO-126N-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 160 V、集电极－基极电压（VCBO） - 160 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V，采用 TO-126N-3 封装。HN4A56JU(TE85L,F)
Toshiba
该型号为晶体管。TTC004B,Q
Toshiba · 封装：TO-126N-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 160 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-126N-3 封装。TBC847B,LM
Toshiba · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-23-3 封装。2SC4116-O(TE85L,F)
Toshiba
该型号为晶体管。2SC4213-A(TE85L,F)
Toshiba
该型号为晶体管。BC847BLT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.6 V，采用 SOT-23-3 封装。BC846BLT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.6 V，采用 SOT-23-3 封装。HN1A01FU-GR,LF
Toshiba
该型号为晶体管。2SC4215-O(TE85L,F)
Toshiba
该型号为晶体管。FMMT458TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV，采用 SOT-23-3 封装。MMBT3904-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SOT-23-3 封装。BCP56-16TX
Nexperia · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-223-3 封装。ZTX415
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 260 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-92-3 封装。SSM2212CPZ-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、集电极－发射极饱和电压 50 mV、最大直流集电极电流 20 mA，采用 LFCSP-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。