2SC4027S-TL-H
ON Semiconductor · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、连续集电极电流 1.5 A、耗散功率（Pd） 1 W、单件重量 0.063493 oz，采用 TO-252-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BCV62B,215
Nexperia · 封装：SOT-143B-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、最大直流集电极电流 - 200 mA，采用 SOT-143B-4 封装。BC54PASX
Nexperia · 封装：DFN-2020D-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV，采用 DFN-2020D-3 封装。KSC5502DTTU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 600 V、集电极－基极电压（VCBO） 1.2 kV、发射极－基极电压（VEBO） 12 V、最大直流集电极电流 2 A，采用 TO-220-3 封装。ZDT749TA
Diodes Incorporated · 封装：SM-8
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 25 V、集电极－基极电压（VCBO） - 35 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.23 V，采用 SM-8 封装。NJVMJD45H11G
ON Semiconductor · 封装：DPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V、最大直流集电极电流 8 A、增益带宽积（fT） 90 MHz，采用 DPAK-3 封装。2SC6017-E
ON Semiconductor · 封装：TO-251-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 180 mV，采用 TO-251-3 封装。BCX55TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV，采用 SOT-89-3 封装。PBSS4330X,115
Nexperia · 封装：UPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 UPAK-3 封装。SMMBT2222AWT1G
ON Semiconductor · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SC-70-3 封装。2SD2707T2LV
ROHM Semiconductor · 封装：VMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 12 V、集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 VMT-3 封装。2SC3648S-TD-E
ON Semiconductor · 封装：PCP-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 PCP-3 封装。MMDT4124-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SOT-363-6 封装。BD13510STU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-126-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-126-3 封装。2SC4081U3HZGT106R
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 400 mV，采用 SOT-323-3 封装。PUMX2,115
Nexperia · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 0.15 A，采用 SOT-363-6 封装。KSC2328AYBU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-92L-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 2 V，采用 TO-92L-3 封装。DSS4160T-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 280 mV，采用 SOT-23-3 封装。BC33716TFR
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-92-3 Kinked Lead
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.7 V、最大直流集电极电流 0.8 A，采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。BCW69,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。