BC807RAZ
Nexperia · 封装：DFN-1412-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 700 mV，采用 DFN-1412-6 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录QS5W1TR
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-25T-5
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 SOT-25T-5 封装。PQMD2Z
Nexperia · 封装：DFN-1010B-6
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1010B-6 封装。PRMH13Z
Nexperia · 封装：DFN-1412-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 100 mV，采用 DFN-1412-6 封装。PBSS5250THR
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 300 mV，采用 SOT-23-3 封装。PQMD16Z
Nexperia · 封装：DFN-1010B-6
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1010B-6 封装。PRMB11Z
Nexperia · 封装：DFN-1412-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 10 V、集电极－发射极饱和电压 - 150 mV，采用 DFN-1412-6 封装。QS5Y1TR
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-25T-5
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 SOT-25T-5 封装。MSB25MH-13
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.004233 oz。2SAR544RTL
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-346T-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 200 mV，采用 SOT-346T-3 封装。2SAR513RTL
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-346T-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 200 mV，采用 SOT-346T-3 封装。PRMD10Z
Nexperia · 封装：DFN-1412-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 100 mV，采用 DFN-1412-6 封装。PBHV8515QAZ
Nexperia · 封装：DFN-1010D-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1010D-3 封装。NSM3005NZTAG
ON Semiconductor · 封装：UDFN-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 400 mV，采用 UDFN-6 封装。PBSS5360XX
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 550 mV，采用 SOT-89-3 封装。MMDT3946FL3-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管。DSS4160FDB-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管。PBSS5255PAPSX
Nexperia · 封装：DFN-2020D-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-2020D-6 封装。BCP69-16F
Nexperia · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-223-3 封装。2SAR542F3TR
ROHM Semiconductor · 封装：DFN2020-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V，采用 DFN2020-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。