SBCP68T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 SOT-223-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DXT5551-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 SOT-89-3 封装。2N4920G
ON Semiconductor · 封装：TO-225-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.6 V，采用 TO-225-3 封装。FMB2907A
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SSOT-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.6 V，采用 SSOT-6 封装。BCP5416TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-223-4 封装。BCX51,115
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-89-3 封装。2SCR523EBTL
ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3F-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 EMT-3F-3 封装。2SA1774TLQ
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-416-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、最大直流集电极电流 0.15 A，采用 SOT-416-3 封装。BC848CPDW1T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-70-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.6 V，采用 SC-70-6 封装。BC817-25,235
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 SOT-23-3 封装。BCX70H,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。PHPT60415PYX
Nexperia · 封装：LFPAK56-5
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 8 V，采用 LFPAK56-5 封装。UMT2222AT106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 SOT-323-3 封装。DZT2222A-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 SOT-223-4 封装。2N4401TF
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-92-3 Kinked Lead
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.75 V，采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。BUV21G
ON Semiconductor · 封装：TO-204-2
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 200 V、集电极－基极电压（VCBO） 250 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 1.5 V，采用 TO-204-2 封装。BC33825TA
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-92-3 Kinked Lead
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.7 V、最大直流集电极电流 0.8 A，采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。MJD210G
ON Semiconductor · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V、集电极－发射极饱和电压 1.8 V，采用 TO-252-3 封装。PBHV9040T,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 400 V、集电极－基极电压（VCBO） - 500 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 110 mV，采用 SOT-23-3 封装。FMMTA92TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 300 V、集电极－基极电压（VCBO） - 300 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 SOT-23-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。