ZTX855
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 250 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 210 mV，采用 TO-92-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BC817-16,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 SOT-23-3 封装。2SAR533P5T100
ROHM Semiconductor · 封装：SC-62-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V，采用 SC-62-3 封装。MJE180G
ON Semiconductor · 封装：TO-225-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 1.7 V，采用 TO-225-3 封装。BCV61C,215
Nexperia · 封装：SOT-143B-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 200 mA，采用 SOT-143B-4 封装。PN2907ATA
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-93-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.8 A，采用 TO-93-3 封装。2SA2125-TD-E
ON Semiconductor · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 125 mV, - 250 mV，采用 SOT-89-3 封装。KSP2907ATA
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-92-3 Kinked Lead
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 1.6 V，采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。2STN1360
STMicroelectronics · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 SOT-223-4 封装。FCX495TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 170 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SOT-89-3 封装。PBHV8215Z,115
Nexperia · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 350 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 4 A，采用 SOT-223-3 封装。BC847,235
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。BC846BT TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-523
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BC846BT PBFREE TR，采用 SOT-523 封装。BSS44
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 65 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-39-3 封装。2N6545
Central Semiconductor · 封装：TO-3-2
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 850 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、集电极－发射极饱和电压 5 V、最大直流集电极电流 8 A，采用 TO-3-2 封装。FJL4215OTU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-264-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 250 V、集电极－基极电压（VCBO） - 250 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.4 V，采用 TO-264-3 封装。FJPF5021OTU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-220F-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 500 V、集电极－基极电压（VCBO） 800 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-220F-3 封装。ST13007D
STMicroelectronics · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、最大直流集电极电流 8 A，采用 TO-220-3 封装。MJD5731T4G
ON Semiconductor · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 350 V、集电极－基极电压（VCBO） 5 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-252-3 封装。ST13003-K
STMicroelectronics · 封装：SOT-32-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、最大直流集电极电流 1.5 A、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-32-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。