JANTXV1N5299UR-1/TR
Microchip / Microsemi · 封装:DO-213AB-2
该型号为二极管,主要参数包括最大稳压器电流 1.32 mA、最大限制电压 1.45 V、最大峰值工作电压 100 V、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 175 C、配置 Single,采用 DO-213AB-2 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Microchip / Microsemi · 封装:DO-213AB-2
该型号为二极管,主要参数包括最大稳压器电流 1.32 mA、最大限制电压 1.45 V、最大峰值工作电压 100 V、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 175 C、配置 Single,采用 DO-213AB-2 封装。Microchip / Microsemi · 封装:DO-213AB-2
该型号为二极管,主要参数包括长度 5.21 mm、单件重量 0.004021 oz,采用 DO-213AB-2 封装。Microchip / Microsemi · 封装:DO-213AB-2
该型号为二极管,主要参数包括长度 5.21 mm、单件重量 0.004021 oz,采用 DO-213AB-2 封装。Microchip / Microsemi · 封装:DO-213AB-2
该型号为二极管,主要参数包括长度 5.21 mm、单件重量 0.004021 oz,采用 DO-213AB-2 封装。Microchip / Microsemi · 封装:DO-213AB-2
该型号为二极管,主要参数包括长度 5.21 mm、单件重量 0.004021 oz,采用 DO-213AB-2 封装。Microchip / Microsemi · 封装:DO-213AB-2
该型号为二极管,主要参数包括长度 5.21 mm、单件重量 0.004021 oz,采用 DO-213AB-2 封装。Microchip / Microsemi · 封装:DO-7-2
该型号为二极管,主要参数包括长度 7.62 mm,采用 DO-7-2 封装。Microchip / Microsemi · 封装:DO-7-2
该型号为二极管,主要参数包括最大稳压器电流 5.17 mA、最大限制电压 2.9 V、最大峰值工作电压 100 V、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 175 C、配置 Single,采用 DO-7-2 封装。Microchip / Microsemi · 封装:DO-7-2
该型号为二极管,主要参数包括最大稳压器电流 8.25 mA、最大限制电压 5.4 V、最大峰值工作电压 60 V、配置 Single、最小动态阻抗 0.05 MOhms、最小拐点阻抗 0.0015 MOhms,采用 DO-7-2 封装。Microchip / Microsemi · 封装:DO-7-2
该型号为二极管,主要参数包括最大稳压器电流 6.82 mA、最大限制电压 4.46 V、最大峰值工作电压 70 V、配置 Single、最小动态阻抗 0.08 MOhms、最小拐点阻抗 0.003 MOhms,采用 DO-7-2 封装。Microchip / Microsemi · 封装:DO-7-2
该型号为二极管,主要参数包括最大稳压器电流 7.48 mA、最大限制电压 4.9 V、最大峰值工作电压 70 V、配置 Single、最小动态阻抗 0.07 MOhms、最小拐点阻抗 0.002 MOhms,采用 DO-7-2 封装。Microchip / Microsemi · 封装:DO-7-2
该型号为二极管,主要参数包括最大稳压器电流 11.1 mA、最大限制电压 7.2 V、最大峰值工作电压 50 V、配置 Single、最小动态阻抗 0.01 MOhms、最小拐点阻抗 0.001 MOhms,采用 DO-7-2 封装。Microchip / Microsemi · 封装:DO-7-2
该型号为二极管,主要参数包括最大稳压器电流 10.01 mA、最大限制电压 6.55 V、最大峰值工作电压 50 V、配置 Single、最小动态阻抗 0.02 MOhms、最小拐点阻抗 0.001 MOhms,采用 DO-7-2 封装。Microchip / Microsemi · 封装:DO-7-2
该型号为二极管,主要参数包括最大稳压器电流 9.02 mA、最大限制电压 5.9 V、最大峰值工作电压 60 V、配置 Single、最小动态阻抗 0.03 MOhms、最小拐点阻抗 0.0015 MOhms,采用 DO-7-2 封装。Microchip / Microsemi · 封装:DO-7-2
该型号为二极管,主要参数包括最大稳压器电流 6.16 mA、最大限制电压 4.03 V、最大峰值工作电压 80 V、配置 Single、最小动态阻抗 0.09 MOhms、最小拐点阻抗 0.004 MOhms,采用 DO-7-2 封装。Microchip / Microsemi · 封装:DO-7-2
该型号为二极管,主要参数包括最大稳压器电流 5.61 mA、最大限制电压 3.67 V、最大峰值工作电压 80 V、配置 Single、最小动态阻抗 0.1 MOhms、最小拐点阻抗 0.004 MOhms,采用 DO-7-2 封装。Microchip / Microsemi · 封装:DO-213AB-2
该型号为二极管,主要参数包括最大稳压器电流 7.48 mA、最大限制电压 4.9 V、最大峰值工作电压 70 V、最小动态阻抗 0.07 MOhms、最小拐点阻抗 0.002 MOhms,采用 DO-213AB-2 封装。Microchip / Microsemi · 封装:DO-213AB-2
该型号为二极管,主要参数包括最大稳压器电流 11.1 mA、最大限制电压 7.2 V、最大峰值工作电压 50 V、最小动态阻抗 0.01 MOhms、最小拐点阻抗 0.001 MOhms,采用 DO-213AB-2 封装。Microchip / Microsemi · 封装:DO-213AB-2
该型号为二极管,主要参数包括最大稳压器电流 10.01 mA、最大限制电压 6.55 V、最大峰值工作电压 50 V、最小动态阻抗 0.02 MOhms、最小拐点阻抗 0.001 MOhms,采用 DO-213AB-2 封装。Microchip / Microsemi · 封装:DO-213AB-2
该型号为二极管,主要参数包括最大稳压器电流 6.16 mA、最大限制电压 4.03 V、最大峰值工作电压 80 V、最小动态阻抗 0.09 MOhms、最小拐点阻抗 0.004 MOhms,采用 DO-213AB-2 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。