E-103
Semitec
该型号为二极管,主要参数包括最大稳压器电流 10 mA、最大限制电压 3.5 V、最大峰值工作电压 30 V、最小工作温度 - 30 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Semitec
该型号为二极管,主要参数包括最大稳压器电流 10 mA、最大限制电压 3.5 V、最大峰值工作电压 30 V、最小工作温度 - 30 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single。Microchip / Microsemi · 封装:DO-213AB-2
该型号为二极管,采用 DO-213AB-2 封装。Microchip / Microsemi · 封装:DO-7
该型号为二极管,采用 DO-7 封装。Microchip / Microsemi · 封装:DO-7
该型号为二极管,采用 DO-7 封装。Central Semiconductor · 封装:SOD-123FL
该型号为二极管,主要参数包括型号别名 CMJ1500 PBFREE TR,采用 SOD-123FL 封装。Central Semiconductor · 封装:SOD-123FL
该型号为二极管,主要参数包括型号别名 CMJ0750 PBFREE TR,采用 SOD-123FL 封装。Central Semiconductor · 封装:SOD-123FL
该型号为二极管,主要参数包括型号别名 CMJ0130 PBFREE TR,采用 SOD-123FL 封装。Central Semiconductor · 封装:SOD-123FL
该型号为二极管,主要参数包括型号别名 CMJH180 PBFREE TR,采用 SOD-123FL 封装。Central Semiconductor · 封装:SOD-123FL
该型号为二极管,主要参数包括型号别名 CMJ0300 PBFREE TR,采用 SOD-123FL 封装。InterFET · 封装:TO-92-3
该型号为二极管,主要参数包括最大稳压器电流 2.6 mA、最大限制电压 2.15 V、最大峰值工作电压 50 V、最小动态阻抗 1.8 MOhms、最小拐点阻抗 0.17 MOhms,采用 TO-92-3 封装。InterFET · 封装:TO-92-3
该型号为二极管,主要参数包括最大稳压器电流 1.6 mA、最大限制电压 1.75 V、最大峰值工作电压 50 V、最小动态阻抗 5 MOhms、最小拐点阻抗 0.4 MOhms,采用 TO-92-3 封装。Microchip / Microsemi · 封装:DO-7-2
该型号为二极管,主要参数包括最大稳压器电流 2.2 mA、最大限制电压 1.85 V、最大峰值工作电压 100 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 175 C、配置 Single,采用 DO-7-2 封装。Souriau
该型号为二极管。Microchip / Microsemi · 封装:DO-7-2
该型号为二极管,主要参数包括最大稳压器电流 2.42 mA、最大限制电压 1.95 V、最大峰值工作电压 100 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 175 C、配置 Single,采用 DO-7-2 封装。Microchip / Microsemi · 封装:DO-213AB-2
该型号为二极管,采用 DO-213AB-2 封装。Microchip / Microsemi · 封装:DO-7-2
该型号为二极管,主要参数包括最大稳压器电流 3.63 mA、最大限制电压 2.35 V、最大峰值工作电压 100 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 175 C、配置 Single,采用 DO-7-2 封装。Microchip / Microsemi · 封装:DO-7-2
该型号为二极管,主要参数包括长度 7.62 mm,采用 DO-7-2 封装。Microchip / Microsemi · 封装:DO-7-2
该型号为二极管,主要参数包括最大稳压器电流 4.73 mA、最大限制电压 2.75 V、最大峰值工作电压 100 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 175 C、配置 Single,采用 DO-7-2 封装。Microchip / Microsemi · 封装:DO-213AB-2
该型号为二极管,主要参数包括长度 5.21 mm、单件重量 0.004021 oz,采用 DO-213AB-2 封装。Microchip / Microsemi · 封装:DO-7-2
该型号为二极管,主要参数包括长度 7.62 mm,采用 DO-7-2 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。