GBPC1202
onsemi · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流（If） 12 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录GBU8J
Diotec Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBU-4 封装。KBPC3514FP
Diotec Semiconductor · 封装：KBPC-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1.4 kV、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 KBPC-4 封装。KBPC806
Diotec Semiconductor · 封装：KBPC-2
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.2 V，采用 KBPC-2 封装。KBPC808
Diotec Semiconductor · 封装：KBPC-2
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.2 V，采用 KBPC-2 封装。MB2S
Diotec Semiconductor · 封装：TO-269AA-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 500 mA、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 TO-269AA-4 封装。MB4S
Diotec Semiconductor · 封装：TO-269AA-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 500 mA、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 TO-269AA-4 封装。MB6S
Diotec Semiconductor · 封装：TO-269AA-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 500 mA、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 TO-269AA-4 封装。GBU8G-T
Diotec Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBU-4 封装。DB25-10
Diotec Semiconductor · 封装：DB-5
主要参数包括技术 Si、类型 Three Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.05 V，采用 DB-5 封装。GBI10K
Diotec Semiconductor · 封装：GBI-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBI-4 封装。GBI10M
Diotec Semiconductor · 封装：GBI-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBI-4 封装。GBU8G
Diotec Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBU-4 封装。GBU4G-E3/51
Vishay Semiconductors · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。GBU4G-M3/45
Vishay Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国。GBU6B-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。GBU6B-E3/51
Vishay Semiconductors · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。GSIB1580-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：GSIB-5S
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 950 mV、最大浪涌电流 300 A，采用 GSIB-5S 封装。GSIB15A80-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：GSIB-5S
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GSIB-5S 封装。GSIB15A80N-M3/45
Vishay Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。