TS4K60
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录TS4K60-A
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。TS4K60H
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。TS4K80
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。TS4K80-A
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。TS4K80H
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。TS6KL60
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。TS6KL60H
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。GBPC15005W-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC-W 封装。GBPC1506-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC 封装。GBPC1506W-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-W 封装。GBPC1508-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC 封装。HDBL107G
Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 1.269863 oz，采用 DBL-4 封装。DBLS156GH
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。DBLS157G
Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 1.269863 oz，采用 DBLS-4 封装。DBLS157G-T
Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBLS-4 封装。DBLS157GH
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。DBLS158G
Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 1.269863 oz，采用 DBLS-4 封装。DBLS158GH
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。DBLS159G
Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 1.269863 oz，采用 DBLS-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。