GBJ50S06
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。分立与功率器件
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
199,570 条型号记录GBP306
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。GBP308
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。GBU1506-TU
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。GBU1508-TU
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。GBU1510-TU
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。GBU1510_HF
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。GBI15A
Diotec Semiconductor · 封装：GBI-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBI-4 封装。GBI15B
Diotec Semiconductor · 封装：GBI-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBI-4 封装。GBI40K
Diotec Semiconductor · 封装：GBI-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 40 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBI-4 封装。GBU10K
Diotec Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBU-4 封装。GBU10K-LV
Diotec Semiconductor
Bridge Rectifiers Low Vf Bridge, 1-ph, GBU, 800V, 10A, 150CGBU8D
Diotec Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBU-4 封装。GBU8D-T
Diotec Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBU-4 封装。MB8S
Diotec Semiconductor · 封装：TO-269AA-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 500 mA、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 TO-269AA-4 封装。MYS125
Diotec Semiconductor · 封装：MicroDIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 500 mA、峰值反向电压 250 V、正向电压（Vf） 1.2 V，采用 MicroDIL-4 封装。MYS250
Diotec Semiconductor · 封装：MicroDIL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 500 mA、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.2 V，采用 MicroDIL-4 封装。PB1002
Diotec Semiconductor · 封装：PB10-2
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.2 V，采用 PB10-2 封装。PB1004
Diotec Semiconductor · 封装：PB10-2
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.2 V，采用 PB10-2 封装。HDBL107GH
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。