GBPC1502W
onsemi · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-W 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录GBPC1504
onsemi · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC 封装。GBPC1504W
onsemi · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-W 封装。GBPC3502
onsemi · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC 封装。GBPC3504
onsemi · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC 封装。B125C1000G-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：WOG-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 45 A、最小工作温度 - 40 C，采用 WOG-4 封装。ABS4-K
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。2W10G-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：WOG-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 60 A、最小工作温度 - 55 C，采用 WOG-4 封装。D45JCT120V-7500
Shindengen
Bridge Rectifiers 3 Phase Bridge Diode Through Hole DeviceGBU15L08
Diodes Incorporated · 封装：GBU-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 800 V，采用 GBU-4 封装。HBS610-13
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。TT8L08-13
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。TT8M
Diodes Incorporated · 封装：TTL-4
主要参数包括端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 960 mV、最大浪涌电流 330 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TTL-4 封装。TT8M_HF
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。KBPC3510FP
Diotec Semiconductor · 封装：KBPC-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 KBPC-4 封装。KBPC3510WP
Diotec Semiconductor · 封装：KBPC-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 KBPC-4 封装。KBPC3512FP
Diotec Semiconductor · 封装：KBPC-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1.2 kV、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 KBPC-4 封装。KBPC3512WP
Diotec Semiconductor · 封装：KBPC-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1.2 kV、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 KBPC-4 封装。GBU15L06-TU
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。GBJ5010_HF
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。