RDXK610_T0_00601
Panjit · 封装:DXK-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 6 A、峰值反向电压 1 kV,采用 DXK-4 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Panjit · 封装:DXK-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 6 A、峰值反向电压 1 kV,采用 DXK-4 封装。Panjit · 封装:DXK-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 8 A、峰值反向电压 1 kV,采用 DXK-4 封装。Panjit · 封装:M8-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 5 A、峰值反向电压 1 kV,采用 M8-4 封装。Panjit · 封装:M8-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 155 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 8 A、峰值反向电压 1 kV,采用 M8-4 封装。Panjit · 封装:M4-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 1 kV,采用 M4-4 封装。Panjit · 封装:M4-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 3 A、峰值反向电压 1 kV,采用 M4-4 封装。onsemi · 封装:GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 35 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 400 A,采用 GBPC-W 封装。onsemi · 封装:GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 35 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 400 A,采用 GBPC-W 封装。onsemi · 封装:GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 4 A、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 150 A,采用 GBU-4 封装。onsemi · 封装:GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 4 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 150 A,采用 GBU-4 封装。onsemi · 封装:GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 6 A、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 175 A,采用 GBU-4 封装。onsemi · 封装:GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 6 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 175 A,采用 GBU-4 封装。onsemi · 封装:GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 6 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 175 A,采用 GBU-4 封装。onsemi · 封装:GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 8 A、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 200 A,采用 GBU-4 封装。onsemi · 封装:GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 8 A、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 200 A,采用 GBU-4 封装。onsemi · 封装:GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流(If) 15 A、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 300 A,采用 GBPC 封装。onsemi · 封装:GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流(If) 35 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 400 A,采用 GBPC 封装。onsemi · 封装:GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 15 A、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 300 A,采用 GBPC-W 封装。onsemi · 封装:GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流(If) 15 A、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 300 A,采用 GBPC 封装。onsemi · 封装:GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流(If) 15 A、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 300 A,采用 GBPC 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。