GBPC3510
onsemi · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录MB2S
onsemi · 封装：SOIC-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 500 mA、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 SOIC-4 封装。GBJ15M_T0_00101
Panjit · 封装：GBJ-1-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBJ-1-4 封装。GBU4MP_T0_00101
Panjit · 封装：GBU-1-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBU-1-4 封装。GBU6MP_T0_00101
Panjit · 封装：GBU-1-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.05 V，采用 GBU-1-4 封装。MB6S
onsemi · 封装：SOIC-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 500 mA、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 SOIC-4 封装。TBSA40M-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TBSG-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1 V，采用 TBSG-4 封装。TBSA60M-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TBSG-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1 V，采用 TBSG-4 封装。TBSA30M-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TBSG-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 175 C、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1 V，采用 TBSG-4 封装。MB8S
onsemi · 封装：SOIC-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 500 mA、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 SOIC-4 封装。MDB10S
onsemi · 封装：MicroDIP
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1 kV、最大浪涌电流 30 A、组装国家或地区 中国、晶圆制造国家或地区 中国，采用 MicroDIP 封装。MB4S
onsemi · 封装：SOIC-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 500 mA、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 SOIC-4 封装。GBPC1204W
onsemi · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 12 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-W 封装。GBPC1206
onsemi · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流（If） 12 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC 封装。GBPC1206W
onsemi · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 12 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-W 封装。GBU15L06-BP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.142084 oz。TBSA20M-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TBSG-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1 V，采用 TBSG-4 封装。RDXK410_T0_00601
Panjit · 封装：DXK-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1 kV，采用 DXK-4 封装。KBJ610_T0_00601
Panjit · 封装：KBJ-2
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 KBJ-2 封装。RDXK210_T0_00601
Panjit · 封装：DXK-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 1 kV，采用 DXK-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。