DF005MA-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：DFM
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DFM 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DF005S-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DFS 封装。DF005S-E3/77
Vishay Semiconductors · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DFS 封装。DF005SA-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DFS 封装。DF10S-E3/77
Vishay Semiconductors · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DFS 封装。DF10S-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DFS 封装。EDF1BS-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DFS 封装。EDF1BS-E3/77
Vishay Semiconductors · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DFS 封装。GBL04E-E3/P
Vishay Semiconductors · 封装：GBL-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 400 V，采用 GBL-4 封装。GBPC1201W-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC-W 封装。GBL06E-E3/A
Vishay
主要参数包括原产国家或地区 中国。GBL06E-E3/P
Vishay Semiconductors · 封装：GBL-4
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 600 V，采用 GBL-4 封装。GBPC12005-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流（If） 12 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 GBPC 封装。GBPC12005W-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC-W 封装。GBPC1201-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流（If） 12 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 GBPC 封装。W01G-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：WOG-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 WOG-4 封装。GBPC1202-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流（If） 12 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 GBPC 封装。GBPC1202W-E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC-W 封装。GBU8G-M3/45
Vishay Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国。GBU8G-M3/51
Vishay Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。