GBU1006H
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录GBU1007-K
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。GBU1007H
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。YBS2206G
Taiwan Semiconductor · 封装：YBS-4
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.007760 oz，采用 YBS-4 封装。YBS2207G
Taiwan Semiconductor · 封装：YBS-4
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.007760 oz，采用 YBS-4 封装。YBS3004G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。DF10SA-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DFS 封装。DFL1506S-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：DFS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DFS 封装。G3SBA60-E3/51
Vishay Semiconductors · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 80 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。G3SBA60-M3/45
Vishay Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 5.403265 oz。GBL204
Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 60 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。GBPC4004M
Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-M
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流（If） 40 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBPC-M 封装。GBL204H
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。GBL205H
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。GBL206
Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 60 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。GBL206H
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。GBL207
Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 60 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。GBL207H
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。GBLA005
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。GBLA005H
Taiwan Semiconductor · 封装：GBL
主要参数包括端接方式 Radial、认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国，采用 GBL 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。