GBI35J-LV-T
Diotec Semiconductor
Bridge Rectifiers Low Vf Bridge, 1-ph, GBI, 600V, 35A, 150C按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Diotec Semiconductor
Bridge Rectifiers Low Vf Bridge, 1-ph, GBI, 600V, 35A, 150CMicro Commercial Components (MCC)
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.046491 oz。Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国。Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。Taiwan Semiconductor · 封装:DBLS-4
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 1.269863 oz,采用 DBLS-4 封装。Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。Taiwan Semiconductor · 封装:DBLS
主要参数包括端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国,采用 DBLS 封装。Taiwan Semiconductor · 封装:DBL-4
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 1.269863 oz,采用 DBL-4 封装。Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。Taiwan Semiconductor · 封装:DBL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.3 V,采用 DBL-4 封装。Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。Taiwan Semiconductor · 封装:DBL-4
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 1.269863 oz,采用 DBL-4 封装。Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。Taiwan Semiconductor · 封装:DBL-4
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 1.269863 oz,采用 DBL-4 封装。Vishay Semiconductors · 封装:GBPC
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBPC 封装。Vishay Semiconductors · 封装:GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBU 封装。Vishay Semiconductors · 封装:SIP-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流(If) 35 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 900 mV、最大浪涌电流 350 A,采用 SIP-4 封装。Vishay Semiconductors · 封装:BU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.05 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C,采用 BU 封装。Vishay Semiconductors · 封装:WOG-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 65 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 45 A、最小工作温度 - 40 C,采用 WOG-4 封装。Vishay Semiconductors · 封装:BU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.05 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C,采用 BU 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。