DB25-08
Diotec Semiconductor · 封装:DB-5
主要参数包括技术 Si、类型 Three Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.05 V,采用 DB-5 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Diotec Semiconductor · 封装:DB-5
主要参数包括技术 Si、类型 Three Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.05 V,采用 DB-5 封装。Diotec Semiconductor · 封装:GBI-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 35 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 GBI-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:GBI-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 35 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 GBI-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 15 A、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 210 A,采用 GBU-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 15 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 210 A,采用 GBU-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 15 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 210 A,采用 GBU-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:KBPC-2
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 8 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1.2 V,采用 KBPC-2 封装。Diotec Semiconductor · 封装:TO-269AA-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流(If) 500 mA、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1 V,采用 TO-269AA-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:PB10-2
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 10 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.2 V,采用 PB10-2 封装。Diotec Semiconductor · 封装:PB10-2
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 10 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.2 V,采用 PB10-2 封装。Diotec Semiconductor · 封装:PB10-2
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 10 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1.2 V,采用 PB10-2 封装。Diotec Semiconductor · 封装:GBI-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 15 A、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 GBI-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:GBI-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 35 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 GBI-4 封装。Diotec Semiconductor
Bridge RectifiersDiotec Semiconductor · 封装:GBI-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1 V,采用 GBI-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:GBI-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1 V,采用 GBI-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:GBI-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 1.6 kV、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 GBI-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:GBI-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 35 A、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 GBI-4 封装。Diotec Semiconductor · 封装:GBI-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流(If) 35 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 GBI-4 封装。Diotec Semiconductor
Bridge Rectifiers Low Vf Bridge, 1-ph, GBI, 600V, 35A, 150C型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。